快速热氧化（RTO）工艺可以在适当的高温下通过精确控制的气氛来实现短时间生长薄氧化层。氧化层具有很好的击穿特性，电性能上耐用坚固。
随着晶体管关键尺寸的缩小，栅氧化层的厚度也变得很薄。最薄的栅氧化层只有15Å，而且由于栅漏电流越来越大，这个厚度已经不能再减小。当这样薄的栅氧化层使用多晶圆批量系统如氧化炉时，很难精确控制氧化层的厚度和晶圆对晶圆的均匀性。使用单晶圆RTP系统生长高质量超薄氧化层有许多优点，由于RTP系统能精确控制整片晶圆的温度均匀性，因此快速加热氧化（RTO）系统能生长薄且均匀的氧化层。
均匀温度分布产生的晶片内的热塑性，对RTO均匀性有着至关重要的影响。
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